參數(shù)資料
型號(hào)： IXGP7N60B
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展|第14A一（c）| TO - 220AB現(xiàn)有
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代理商： IXGP7N60B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGA7N60C TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AA
IXGP7N60C TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB
IXGB16N60R2 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 16A I(C) | SIP
IXGB16N60U3 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 16A I(C) | SIP
IXGB25N60R2 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 25A I(C) | SIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGP7N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.0 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP7N60C 功能描述:IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP7N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP8N100 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 1000V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP90N33TCM-A 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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