參數資料
型號： IXFT66N20Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
中文描述： 66 A, 200 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝： PLASTIC, TO-268, 3 PIN
文件頁數： 4/4頁
文件大?。?/td> 157K
代理商： IXFT66N20Q
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343
IXFH
IXFT
66N20Q
66N20Q
Fig. 11. Capacitance
100
1000
10000
0
5
10
15
V
DS
- Volts
20
25
30
35
40
C
C
iss
C
oss
C
rss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
D S
= 100V
I
D
= 33A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
33
66
99
132
165
3
3.5
4
4.5
V
G S
- Volts
5
5.5
6
6.5
7
I
D
T
J
= -40
o
C
25
o
C
125
o
C
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
0.01
0.1
1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
(
Fig. 8. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
33
66
99
132
165
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40
o
C
25
o
C
125
o
C
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
198
0
33
66
99
132
165
0.4
0.6
0.8
V
SD
- Volts
1
12
14
I
S
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
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PDF描述
IXFH67N10 HiPerFET Power MOSFETs
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參數描述
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IXFT6N100F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT6N100Q 功能描述:MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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