參數(shù)資料
型號(hào)： IXFT58N20
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 58 A, 200 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 104K
代理商： IXFT58N20
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH/IXFM42N20
IXFH/IXFM50N20
IXFH/IXFM58N20
IXFT50N20
IXFT58N20
Fig.9
Capacitance Curves
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.11 Transient Thermal Impedance
V
DS
- Volts
1
10
100
I
D
1
10
100
Gate Charge - nCoulombs
0
25
50
75
100 125 150 175 200
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
V
SD
- Volts
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
10
20
30
40
50
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Time - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
Single Pulse
D=0.1
D=0.5
C
rss
C
oss
C
iss
200
Limited by R
DS(on)
10μs
100ms
100μs
10ms
1ms
V
DS
= 100V
I
D
= 50A
I
G
= 10mA
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
D=0.01
D=0.02
D=0.05
D=0.2
f = 1MHz
V
DS
= 25V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH58N20 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH58N20Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻40mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH60N20F HiPerRFTM Power MOSFETs
IXFH60N25Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFK60N25Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFT58N20Q 功能描述:MOSFET 200V 58A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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