參數(shù)資料
型號： IXFT58N20
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 58 A, 200 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 104K
代理商： IXFT58N20
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
R
DS(on)
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 I
D25
Test Conditions
Characteristic Values
Min. Typ.
Max.
0.060
0.045
0.040
42N20
50N20
58N20
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
20
32
S
4400
800
285
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
18
15
72
16
25
20
90
25
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1 (External)
190
35
95
220
50
110
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
0.42
K/W
K/W
(TO-247 and TO-204 Case styles)
0.25
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
Min.
Symbol
Test Conditions
Typ.
Max.
I
S
V
GS
= 0 V
42N20
50N20
58N20
42N20
50N20
58N20
42
50
58
A
A
A
A
A
A
V
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
168
200
232
1.5
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
t
rr
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
200
300
ns
ns
C
C
A
A
Q
RM
1.5
2.6
19
23
I
RM
I
= 25A,
-di/dt = 100 A/ s,
V
R
= 100 V
TO-247 AD (IXFH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
TO-204 AE (IXFM) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
38.61 39.12
- 22.22
6.40 11.40
1.45
1.52
30.15
10.67 11.17
5.21
16.64 17.14
11.18 12.19
3.84
25.16 26.66
Inches
Min.
1.520 1.540
- 0.875
0.252 0.449
0.057 0.063
0.060 0.135
1.187
0.420 0.440
0.205 0.225
0.655 0.675
0.440 0.480
0.151 0.165
0.991 1.050
Max.
Max.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Q
R
1.60
3.43
BSC
BSC
5.71
4.19
Dim.
Millimeter
Min.
4.9
2.7
.02
1.15
1.9
.4
13.80
15.85
13.3
e 5.45 BSC .215 BSC
H
18.70
19.10
L
2.40
2.70
L1
1.20
1.40
L2
1.00
1.15
L3 0.25 BSC .010 BSC
L4
3.80
4.10
Inches
Min.
.193
.106
.001
.045
.75
.016
.543
.624
.524
Max.
5.1
2.9
.25
1.45
2.1
.65
14.00
16.05
13.6
Max.
.201
.114
.010
.057
.83
.026
.551
.632
.535
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
.736
.094
.047
.039
.752
.106
.055
.045
.150
.161
Min. Recommended Footprint
TO-268AA (D
3
PAK)
IXFH/IXFM42N20
IXFH/IXFM50N20
IXFH/IXFM58N20
IXFT50N20
IXFT58N20
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH58N20 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH58N20Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻40mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH60N20F HiPerRFTM Power MOSFETs
IXFH60N25Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFK60N25Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFT58N20Q 功能描述:MOSFET 200V 58A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT60N20 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
IXFT60N20F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT60N25Q 功能描述:MOSFET 60 Amps 250V 0.047 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT60N50P3 功能描述:MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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