參數(shù)資料
型號(hào)： IXFT26N50Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 26 A, 500 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝： PLASTIC, TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 134K
代理商： IXFT26N50Q
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Pulse Width - Seconds
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.00
0.01
0.10
1.00
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
100
1000
10000
Gate Charge - nC
0
20
40
60
80
100
120
V
G
0
2
4
6
8
10
12
Crss
Coss
Ciss
V
DS
= 250 V
I
D
= 13 A
I
G
= 10 mA
f = 1MHz
T
J
= 125
O
C
Single Pulse
D=0.01
D=0.02
D=0.05
D=0.1
D=0.2
D=0.5
T
J
= 25
O
C
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8
Capacitance Curves
Fig.9 Drain Current vs Drain to Source Voltage
Fig.10 Transient Thermal Impedance
IXFH 24N50Q
IXFH 26N50Q
IXFT 24N50Q
IXFT 26N50Q
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH26N60Q HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class
IXFT26N60Q DUAL 1FORM-A SSR
IXFH28N50 HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFT28N50F HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFH28N50F HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFT26N55Q 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT26N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
IXFT26N60P 功能描述:MOSFET 600V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT26N60Q 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT28N50F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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