型號: | IXFT24N50Q |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | HiPerFET Power MOSFETs |
中文描述: | 24 A, 500 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA |
封裝: | TO-268, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大?。?/td> | 134K |
代理商: | IXFT24N50Q |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IXFT26N50Q | HiPerFET Power MOSFETs |
IXFH26N60Q | HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class |
IXFT26N60Q | DUAL 1FORM-A SSR |
IXFH28N50 | HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching |
IXFT28N50F | HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXFT24N80P | 功能描述:MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFT24N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFT26N50 | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFT26N50Q | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFT26N55Q | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |