參數(shù)資料
型號： IXFT12N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
中文描述： 12 A, 1000 V, 1.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 556K
代理商： IXFT12N100
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343 6,583,505
Fig. 7. Gate Charge Characteristic Curve
Fig. 8. Capacitance Curves
Fig. 9. Source Current vs. Source
to Drain Voltage
Fig.10.
Transient Thermal Impedance
V
DS
- Volts
1
10
100
1000
I
D
0.1
1
10
Gate Charge - nCoulombs
0
25
50
75
100
125
150
V
G
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- Volts
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Time - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
1
D=0.5
C
rss
C
oss
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
C
iss
Limited by R
DS(on)
V
DS
= 500V
I
D
= 6A
I
G
= 10mA
Single Pulse
f = 1MHz
V
DS
= 25V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.01
D=0.02
IXFT 10N100 IXFT 12N100
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