參數(shù)資料
型號： IXFT12N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
中文描述： 12 A, 1000 V, 1.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 556K
代理商： IXFT12N100
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343 6,583,505
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
6
10
S
C
iss
C
oss
C
rss
4000
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
310
pF
70
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
21
50
ns
V
GS
R
G
= 2
(External),
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
33
50
ns
62
100
ns
32
50
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
122
155
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
30
45
nC
50
80
nC
R
thJC
0.42
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
10N100
12N100
10
12
A
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
10N100
12N100
40
48
A
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
T
J
=
T
J
= 125
°
C
25
°
C
250
400
ns
ns
Q
RM
T
J
=
T
J
= 125
°
C
25
°
C
1
2
μ
C
μ
C
I
RM
T
J
=
T
J
= 125
°
C
25
°
C
10
15
A
A
I
= I
-di/dt = 100 A/
μ
s,
V
R
= 100 V
TO-268 Outline
Min Recommended Footprint
IXFT 10N100 IXFT 12N100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFT140N10P PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
IXFH140N10P PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
IXFT15N80Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH15N80Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻0.60Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFT21N50Q HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFT12N100F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT12N100Q 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT12N50F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT12N90Q 功能描述:MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT13N100 功能描述:MOSFET 1KV 12.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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