參數(shù)資料
型號： IXFP4N100Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
中文描述： 4 A, 1000 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 87K
代理商： IXFP4N100Q
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFA 4N100Q
IXFP 4N100Q
V
DS
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
D
0
1
2
3
4
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
I
D
0
1
2
3
4
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
GS
- Volts
3
4
5
6
7
8
I
D
0
1
2
3
4
I
D
- Amperes
0
1
2
3
4
5
6
R
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
CE
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7V
6V
VGS = 10V
VGS = 10V
9V
8V
TJ
= 25
°
C
VGS = 10V
9V
8V
TJ = 25
°
C
TJ = 125
°
C
5V
5V
TJ = 25
°
C
T
J
= 125
°
C
6V
7V
5V
6V
7V
VGS = 10V
9V
8V
TJ = 125OC
VGS = 10V
ID = 2A
TJ = 25OC
Figure 1. Output Characteristics at 25
O
C
Figure 2. Extended Output Characteristics at 125
O
C
Figure 3. Output characteristics at 125 C
Figure 6. R
DS(on)
normalized to 0.5 I
D25
value vs. T
J
Figure 5. R
DS(on)
normalized to 0.5 I
D25
value vs. I
D
Figure 4. Admittance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFQ26N60P N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFT26N60P N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFV26N60P N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFV26N60PS N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFR100N25 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓250V,導(dǎo)通電阻27mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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