參數(shù)資料
型號： IXFP3N80
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 3.6 A, 800 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 103K
代理商： IXFP3N80
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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TO-263 (IXFA) Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
Bottom Side
Dim.
Millimeter
Min.
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
Inches
Min.
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
Max.
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
Max.
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
Bottom Side
TO-220 (IXFP) Outline
IXFA 3N80
IXFP 3N80
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFP4N100Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFQ26N60P N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFT26N60P N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFV26N60P N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFV26N60PS N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFP4N100P 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFP4N100PM 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Polar HiperFET Power MOSFET
IXFP4N100Q 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFP4N100QM 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET Q-Class
IXFP4N60P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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