參數(shù)資料
型號: IXFP3N80
廠商: IXYS CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: HiPerFET Power MOSFETs
中文描述: 3.6 A, 800 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大?。?/td> 103K
代理商: IXFP3N80
2000 IXYS All rights reserved
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98746 (09/00)
相關PDF資料
PDF描述
IXFP4N100Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFQ26N60P N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFT26N60P N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFV26N60P N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFV26N60PS N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXFP4N100P 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFP4N100PM 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Polar HiperFET Power MOSFET
IXFP4N100Q 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFP4N100QM 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET Q-Class
IXFP4N60P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube