型號: | IXFP3N80 |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | HiPerFET Power MOSFETs |
中文描述: | 3.6 A, 800 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
封裝: | TO-220, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 103K |
代理商: | IXFP3N80 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IXFP4N100Q | HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
IXFQ26N60P | N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated |
IXFT26N60P | N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated |
IXFV26N60P | N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated |
IXFV26N60PS | N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXFP4N100P | 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFP4N100PM | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Polar HiperFET Power MOSFET |
IXFP4N100Q | 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFP4N100QM | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET Q-Class |
IXFP4N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |