參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN80N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
中文描述： 80 A, 500 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： IXFN80N50
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXFN 75N50
IXFN 80N50
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 15 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
50
70
S
C
iss
C
oss
C
rss
9890
1750
460
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
61
70
102
27
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External),
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
380
80
173
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.18
K/W
K/W
0.05
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
75N50
80N50
75
80
A
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
75N50
80N50
300
320
A
A
V
SD
1.3
V
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= 30A, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
250
ns
μ
C
1.2
8
A
miniBLOC, SOT-227 B
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Max.
Min.
Max.
A
B
31.50
7.80
31.88
8.20
1.240
0.307
1.255
0.323
C
D
4.09
4.09
4.29
4.29
0.161
0.161
0.169
0.169
E
F
4.09
14.91
4.29
15.11
0.161
0.587
0.169
0.595
G
H
30.12
38.00
30.30
38.23
1.186
1.496
1.193
1.505
J
K
11.68
8.92
12.22
9.60
0.460
0.351
0.481
0.378
L
M
0.76
12.60
0.84
12.85
0.030
0.496
0.033
0.506
N
O
25.15
1.98
25.42
2.13
0.990
0.078
1.001
0.084
P
Q
4.95
26.54
5.97
26.90
0.195
1.045
0.235
1.059
R
S
3.94
4.72
4.42
4.85
0.155
0.186
0.174
0.191
T
U
24.59
-0.05
25.07
0.1
0.968
-0.002
0.987
0.004
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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IXFN80N60P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN82N60P 功能描述:MOSFET DIODE Id82 BVdass600 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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