參數(shù)資料
型號： IXFN73N30
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 73 A, 300 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 131K
代理商： IXFN73N30
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFK 73N30
IXFN 73N30
Fig.10 Transient Thermal Impedance
Time - Seconds
0.001
0.01
0.1
1
T
0.01
0.1
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
C
rss
V
SD
- Volts
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate Charge - nCoulombs
0
50
100
150 200 250
300
350
400
V
G
0
2
4
6
8
10
C
oss
V
DS
= 150V
I
D
= 42A
I
G
= 10mA
T
J
= 125°C
C
iss
f = 1MHz
V
DS
= 25V
T
J
= 25°C
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Capacitance Curves
Fig.9 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
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PDF描述
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參數(shù)描述
IXFN73N30 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B
IXFN73N30Q 功能描述:MOSFET 73 Amps 300V 0.042 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN75N50 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN80N48 功能描述:MOSFET 480V 80A 45Rds SNGL DIE MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN80N50 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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