參數(shù)資料
型號： IXFN73N30
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 73 A, 300 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 131K
代理商： IXFN73N30
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFK 73N30
IXFN 73N30
TO-264 AA Outline
Millimeter
Min.
Inches
Max.
Min.
Max.
A
A1
A2
4.82
2.54
2.00
5.13
2.89
2.10
.190
.100
.079
.202
.114
.083
b
b1
b2
1.12
2.39
2.90
1.42
2.69
3.09
.044
.094
.114
.056
.106
.122
c
0.53
0.83
.021
.033
D
25.91
26.16
1.020
1.030
E
e
19.81
19.96
.780
.215 BSC
.786
5.46 BSC
J
0.00
0.25
.000
.010
K
0.00
0.25
.000
.010
L
L1
20.32
2.29
20.83
2.59
.800
.090
.820
.102
P
3.17
3.66
.125
.144
Q
Q1
6.07
8.38
6.27
8.69
.239
.330
.247
.342
R
R1
3.81
1.78
4.32
2.29
.150
.070
.170
.090
S
6.04
6.30
.238
.248
T
1.57
1.83
.062
.072
Dim.
miniBLOC, SOT-227 B
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Max.
Min.
Max.
A
B
31.50
7.80
31.88
8.20
1.240
0.307
1.255
0.323
C
D
4.09
4.09
4.29
4.29
0.161
0.161
0.169
0.169
E
F
4.09
14.91
4.29
15.11
0.161
0.587
0.169
0.595
G
H
30.12
38.00
30.30
38.23
1.186
1.496
1.193
1.505
J
K
11.68
8.92
12.22
9.60
0.460
0.351
0.481
0.378
L
M
0.76
12.60
0.84
12.85
0.030
0.496
0.033
0.506
N
O
25.15
1.98
25.42
2.13
0.990
0.078
1.001
0.084
P
Q
4.95
26.54
5.97
26.90
0.195
1.045
0.235
1.059
R
S
3.94
4.72
4.42
4.85
0.155
0.186
0.174
0.191
T
U
24.59
-0.05
25.07
0.1
0.968
-0.002
0.987
0.004
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
50
S
C
iss
C
oss
C
rss
9000
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
1500
pF
580
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
30
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External),
80
ns
100
ns
50
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
360
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
60
nC
180
nC
R
thJC
R
thCK
TO-264 AA
0.25
K/W
TO-264 AA
0.15
K/W
R
thJC
R
thCK
miniBLOC, SOT-227 B
0.24
K/W
miniBLOC, SOT-227 B
0.05
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
73
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
292
A
V
SD
I
F
= 100 A, V
GS
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
RM
200
ns
μ
C
A
I
F
= I
S
, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
2
40
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFK90N30 HiPerFET Power MOSFETs
IXFX90N30 HiPerFET Power MOSFETs
IXFM11N80 HiPerFET Power MOSFETs
IXFM13N80 HiPerFET Power MOSFETs
IXFM11N100 HIPERFET Power MOSFTETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN73N30 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B
IXFN73N30Q 功能描述:MOSFET 73 Amps 300V 0.042 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN75N50 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN80N48 功能描述:MOSFET 480V 80A 45Rds SNGL DIE MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN80N50 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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