參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN58N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Current Power MOSFET
中文描述： 58 A, 500 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： IXFN58N50
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFN 58N50
IXFN 61N50
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
20
30
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
11
1550
225
nF
pF
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 50 A
R
G
= 1
(External)
30
60
100
50
ns
ns
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
D25
420
55
160
nC
nC
nC
R
thJC
R
thCK
0.20 K/W
0.05
K/W
Source-Drain Diode
Ratings and Characteristics
(T
J
= 25°C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
Symbol
Test Conditions
I
S
I
SM
V
GS
= 0
Repetitive; pulse width limited by T
JM
61
244
A
A
V
SD
I
F
Pulse test, t
≤
300 μs, duty cycle
≤
2 %
= I
S,
V
GS
= 0 V,
1.5
V
t
rr
I
F
= 50A
,
di/dt = -100 A/μs, V
R
= 100 V
250
ns
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C unless otherwise specified)
Min. Typ.
Max.
Package Outline
Notes:
1. Pulse width limited by max T
J
.
2. I
F
< I
DM
, di/dt < 100 A/μs, V
DD
< V
DSS
, T
J
< 150oC, R
G
= 2
.
The data supplied herein reflects the pre-production objective specification and characterization from engineering lots.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN60N60 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓600V,導(dǎo)通電阻75mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN72N55Q2 HiPerFET Power MOSFET
IXFN73N30Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFN75N50 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN80N50 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN60N60 功能描述:MOSFET 600V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN60N80P 功能描述:MOSFET DIODE Id54 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN61N50 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Current Power MOSFET
IXFN62N80Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN64N20 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
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