參數(shù)資料
型號： IXFN48N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 560PF 100V 5% MONOLITH CERM CAP
中文描述： 48 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 108K
代理商： IXFN48N50
C1 - 186
2000 IXYS All rights reserved
IXFN / IXFK 44N50
IXFN / IXFK 48N50
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
BV
DSS
V
GS(th)
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
0
10
20
30
40
50
60
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
- Amperes
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
R
D
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
V
GS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
5V
6V
7V
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
V
GS
= 15V
I
D
= 24A
44N50
48N50
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFK48N55 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓550V,導(dǎo)通電阻110mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK55N50 HiPerFET Power MOSFET
IXFN50N50 HiPerFET Power MOSFET
IXFN55N50 HiPerFET Power MOSFET
IXFN55N50F HiPerRF Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN48N50 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B
IXFN48N50Q 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN48N50U2 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN48N50U3 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 100 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN48N55 功能描述:MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:HiPerFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
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