參數(shù)資料
型號: IXFN38N80Q2
廠商: IXYS CORP
元件分類: JFETs
英文描述: RECT UFST 100V 2A 50NS SMB SMD
中文描述: 38 A, 800 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: PLASTIC, MINIBLOC-4
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大?。?/td> 605K
代理商: IXFN38N80Q2
2004 IXYS All rights reserved
Fig . 13. M axim u m T r an s ie n t T h e r m al Re s is tan ce
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
0.16
0.18
1
10
100
1000
Puls e W idth - milliseconds
R
(
-
o
IXFK 38N80Q2 IXFN 38N80Q2
IXFX 38N80Q2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFX44N55Q HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFX48N60P PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFX50N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFX52N60Q2 Advanced Technical Information
IXFX55N50 HiPerRF Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN39N90 功能描述:MOSFET 39 Amps 900V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN40N110P 功能描述:MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN40N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET
IXFN40N90P 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN420N10T 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube