參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN170N10
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 170 A, 100 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 145K
代理商： IXFN170N10
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
DS
- Volts
1
1 0
1 00
I
D
1
1 0
1 00
Pulse Width - Seconds
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
V
DS
- Volts
0
10
20
30
40
C
0
3000
6000
9000
12000
15000
18000
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
0
50
100
150
200
250
300
Gate Charge - nC
0
100
200
300
400
500
600
V
G
0
2
4
6
8
10
12
Crss
Coss
Ciss
Vds= 50V
I
D
= 85A
I
G
=10mA
f = 1MHz
170
T
C
= 25
O
C
10
ms
1 ms
100
ms
DC
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
IXFK170N10
IXFN170N10
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
Figure 11. Transient Thermal Resistance
Figure10. Forward Bias Safe Operating Area
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IXFK21N100F HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
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參數(shù)描述
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