參數資料
型號： IXFN150N10
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 150 A, 100 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數： 2/2頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： IXFN150N10
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic Values
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 60A, Note 2
50
75
S
C
iss
C
oss
C
rss
9100
2600
1200
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
50
60
110
45
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External),
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
360
65
190
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
miniBLOC, SOT-227 B
miniBLOC, SOT-227 B
0.21
K/W
K/W
0.05
Source-Drain Diode
(T
= 25 C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
Min.
Typ.
Max.
I
S
I
SM
V
GS
= 0
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
I
= 100 A, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
150
A
600
A
V
SD
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
RM
250
ns
C
A
I
F
= 50 A, -di/dt = 100 A/ s, V
R
= 50 V
1.1
13
Notes:
1.Pulse width limited by T
2.Pulse test, t 300 ms, duty cycle d 2 %
IXFN 150N10
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
Inches
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
miniBLOC, SOT-227 B
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關PDF資料
PDF描述
IXFN180N07 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓70V,導通電阻7mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN200N06 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓60V,導通電阻6mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN200N07 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓70V,導通電阻6mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN180N10 CAP 1200PF 100V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
IXFN180N06 HiPerFET Power MOSFETs
相關代理商/技術參數
參數描述
IXFN150N15 功能描述:MOSFET 150V 150A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN15N100 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 15A I(D) | SOT-227B
IXFN160N30T 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN16N100 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFN170N10 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*