參數(shù)資料
型號： IXFK73N30Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
中文描述： 73 A, 300 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： PLASTIC, TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 98K
代理商： IXFK73N30Q
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
Note 1
30
47
S
C
iss
C
oss
C
rss
6400
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
1340
pF
340
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
37
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External)
36
ns
82
ns
12
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
190
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
51
nC
78
nC
R
thJC
R
thCK
0.26
K/W
0.15
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
73
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
292
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V, Note 1
1.5
V
t
rr
250
ns
Q
RM
0.8
μ
C
I
RM
7
A
I
F
= 25A, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
4.83
2.29
1.91
5.21
2.54
2.16
.190
.090
.075
.205
.100
.085
1.14
1.91
2.92
1.40
2.13
3.12
.045
.075
.115
.055
.084
.123
0.61
20.80
15.75
0.80
21.34
16.13
.024
.819
.620
.031
.840
.635
e
L
L1
5.45 BSC
19.81
3.81
.215 BSC
.780
.150
20.32
4.32
.800
.170
Q
R
5.59
4.32
6.20
4.83
.220 0.244
.170
.190
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
PLUS 247
TM
Outline
Note: 1. Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
IXFK 73N30Q
IXFX 73N30Q
TO-264 AA Outline
Millimeter
Min.
Inches
Max.
Min.
Max.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
相關PDF資料
PDF描述
IXFX73N30Q HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK73N30 HiPerFET Power MOSFETs
IXFN73N30 HiPerFET Power MOSFETs
IXFK90N30 HiPerFET Power MOSFETs
IXFX90N30 HiPerFET Power MOSFETs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IXFK78N50P3 功能描述:MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK80N10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-264AA
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IXFK80N20 功能描述:MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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