參數(shù)資料
型號(hào)： IXFK48N50
廠(chǎng)商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： CAP 1000UF 450V ELECT SCREW TERM
中文描述： 48 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 108K
代理商： IXFK48N50
C1 - 184
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
IXFK
IXFN
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
T
J
= 25
°
C to 150
°
C; R
GS
= 1 M
Continuous
Transient
500
500
500
500
V
V
±
20
±
30
±
20
±
30
V
V
T
C
= 25
°
C
44N50
48N50
44N50
48N50
44
48
176
192
24
44
48
A
A
A
A
A
I
DM
T
= 25
°
C,
pulse width limited by T
JM
T
C
= 25
°
C
T
C
= 25
°
C
I
S
≤
I
, di/dt
≤
100 A/
μ
s, V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150
°
C, R
G
= 2
T
C
= 25
°
C
176
192
24
I
AR
E
AR
dv/dt
30
30
mJ
5
5
V/ns
P
D
T
J
T
JM
T
stg
T
L
V
ISOL
500
520
W
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
300
-
°
C
50/60 Hz, RMS
I
ISOL
≤
1 mA
Mounting torque
Terminal connection torque
t = 1 min
t = 1 s
-
-
2500
3000
V~
V~
M
d
0.9/6
1.5/13
1.5/13
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
-
Weight
10
30
g
HiPerFET
TM
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t
rr
Features
International standard packages
Molding epoxies meet UL
94
V-0
flammability classification
SOT-227B miniBLOC with aluminium
nitride isolation
Low R
HDMOS
TM
process
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Fast intrinsic rectifier
Applications
DC-DC converters
Synchronous rectification
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
Temperature and lighting controls
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
V
DSS
500 V
500 V
t
rr
≤
250 ns
I
D25
44 A 0.12
48 A 0.10
R
DS(on)
IXFK / IXFN 44 N50
IXFK / IXFN 48 N50
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V, I
D
= 1 mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8 mA
V
GS
=
±
20 V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 I
D25
500
V
V
2
4
±
200
nA
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
44N50
48N50
400
μ
A
mA
2
R
DS(on)
0.12
0.10
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
93001I (07/00)
D
S
G
S
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
S
G
S
D
S
G
D
TO-264 AA
(IXFK)
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
(TAB)
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH48N50 CAP 56PF 100V CERAMIC MONO 5%
IXFN48N50 560PF 100V 5% MONOLITH CERM CAP
IXFK48N55 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓550V,導(dǎo)通電阻110mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK55N50 HiPerFET Power MOSFET
IXFN50N50 HiPerFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFK48N50 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-264
IXFK48N50Q 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK48N50Q_03 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK48N50S 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-264VAR
IXFK48N55 功能描述:MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HiPerFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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