型號: | IXFH48N50 |
廠商: | IXYS Corporation |
英文描述: | CAP 56PF 100V CERAMIC MONO 5% |
中文描述: | HiPerFET功率MOSFET |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大小: | 108K |
代理商: | IXFH48N50 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IXFN48N50 | 560PF 100V 5% MONOLITH CERM CAP |
IXFK48N55 | N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓550V,導通電阻110mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET) |
IXFK55N50 | HiPerFET Power MOSFET |
IXFN50N50 | HiPerFET Power MOSFET |
IXFN55N50 | HiPerFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXFH4N100 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
IXFH4N100Q | 功能描述:MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFH50N20 | 功能描述:MOSFET DIODE Id50 BVdass200 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFH50N20 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
IXFH50N20S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-264AA |