參數(shù)資料
型號(hào)： IXFH48N50
廠商： IXYS Corporation
英文描述： CAP 56PF 100V CERAMIC MONO 5%
中文描述： HiPerFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 108K
代理商： IXFH48N50
C1 - 187
2000 IXYS All rights reserved
IXFN / IXFK 44N50
IXFN / IXFK 48N50
Fig.10 Transient Thermal Impedance
V
SD
- Volt
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Time - Seconds
0.001
0.01
0.1
1
T
0.01
0.1
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
C
rss
C
oss
Gate Charge - nCoulombs
0
50
100
150
200
250
300
350
400
V
G
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
C
iss
V
DS
= 250V
I
D
= 24A
I
G
= 10mA
f = 1 MHz
V
DS
= 25V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Capacitance Curves
Fig.9 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN48N50 560PF 100V 5% MONOLITH CERM CAP
IXFK48N55 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓550V,導(dǎo)通電阻110mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK55N50 HiPerFET Power MOSFET
IXFN50N50 HiPerFET Power MOSFET
IXFN55N50 HiPerFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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