型號: | IXFK24N100F |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | HiPerRF Power MOSFETs |
中文描述: | 24 A, 1000 V, 0.0039 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大小: | 99K |
代理商: | IXFK24N100F |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IXFX24N100F | HiPerRF Power MOSFETs |
IXFK26N60Q | RELAY OPTOMOS 170MA DP 8-SMD |
IXFX26N60Q | HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
IXFK26N90 | N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導通電阻0.30Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET) |
IXFK27N80Q | HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXFK24N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFK24N120Q2 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
IXFK24N80P | 功能描述:MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFK24N90Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 900V 0.45 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFK250N10P | 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |