- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄362819 > IXFK185N10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 185A I(D) | TO-264AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXFK185N10 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 185A I(D) | TO-264AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 185a條（?。﹟對264AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 221K |
| 代理商： | IXFK185N10 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK21N100Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-264AA |
| IXFK25N90 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-264AA |
| IXFK26N90 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-264AA |
| IXFX21N100Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-247VAR |
| IXFX25N90 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-247VAR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXFK200N10P | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFK20N120 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFK20N120P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFK20N80Q | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.42 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFK210N17T | 功能描述:MOSFET 210A 170V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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