型號: | IXFK21N100Q |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-264AA |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 1KV交五(巴西)直| 21A條(?。﹟對264AA |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 98K |
代理商: | IXFK21N100Q |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXFK25N90 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-264AA |
IXFK26N90 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-264AA |
IXFX21N100Q | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-247VAR |
IXFX25N90 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-247VAR |
IXFX26N90 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-247VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXFK220N15P | 功能描述:MOSFET 220Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFK220N17T2 | 功能描述:MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFK230N20T | 功能描述:MOSFET 230A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFK240N15T2 | 功能描述:功率驅(qū)動器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
IXFK24N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |