參數(shù)資料
型號(hào): IXFJ40N30
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 300V五(巴西)直| 40A條(丁)|對(duì)220VAR
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
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代理商: IXFJ40N30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFK110N20 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-264AA
IXFK180N07 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 180A I(D) | TO-264AA
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFK100N10 功能描述:MOSFET 100 Amps 100V 0.012 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK100N-10 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA 制造商:Ixys Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
IXFK100N25 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK102N30P 功能描述:MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK105N07 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs