參數(shù)資料
型號： IXFH6N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻2.0Ω的N溝道增強型 HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 6 A, 1000 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： IXFH6N100
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH 6N90
IXFM 6N90
IXFH 6N100
IXFM 6N100
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.9
Capacitance Curves
Fig.10Source Current vs. Source
to Drain Voltage
Fig.11 Transient Thermal Impedance
V
DS
- Volts
1
10
100
1000
I
D
0.1
1
10
Gate Charge - nCoulombs
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
G
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
- Volts
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
CE
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
2250
2500
2750
Time - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.010
0.100
1.000
C
rss
C
oss
C
iss
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
Single Pulse
Limited by R
DS(on)
V
DS
= 500V
I
D
= 3.0A
I
G
= 10mA
f = 1 MHz
V
DS
= 25V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
D=0.01
D=0.05
D=0.1
D=0.2
D=0.5
6N90 limit
6N100 limit
D=0.02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH70N15 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓150V,導通電阻28mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH75N10Q HIPER FET POWER MOSFETS Q CLASS
IXFT75N10Q HIPER FET POWER MOSFETS Q CLASS
IXFH76N07-12 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH76N06-11 HiPerFET Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH6N100 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247
IXFH6N100F 功能描述:MOSFET HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH6N100Q 功能描述:MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH6N120 功能描述:MOSFET 6 Amps 1200V 2.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH6N120P 功能描述:MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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