參數(shù)資料
型號： IXFH6N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻2.0Ω的N溝道增強型 HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 6 A, 1000 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： IXFH6N100
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH 6N90
IXFM 6N90
IXFH 6N100
IXFM 6N100
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
5V
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
GS(th)
BV
DSS
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7
6N100
6N90
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
- Amperes
0
2
4
6
8
10
R
D
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
V
GS
= 15V
V
GS
= 10V
V
GS
- Volts
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
GS
= 10V
T
J
= 125
°
C
I
D
= 3.0A
6V
T
J
=25
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= - 55
°
C
T
J
=25
°
C
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PDF描述
IXFH70N15 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓150V,導(dǎo)通電阻28mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH75N10Q HIPER FET POWER MOSFETS Q CLASS
IXFT75N10Q HIPER FET POWER MOSFETS Q CLASS
IXFH76N07-12 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH76N06-11 HiPerFET Power MOSFETs
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參數(shù)描述
IXFH6N100 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247
IXFH6N100F 功能描述:MOSFET HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH6N100Q 功能描述:MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH6N120 功能描述:MOSFET 6 Amps 1200V 2.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH6N120P 功能描述:MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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