型號(hào): | IXFH66N20Q |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
中文描述: | 66 A, 200 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁(yè)數(shù): | 3/4頁(yè) |
文件大小: | 157K |
代理商: | IXFH66N20Q |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXFT66N20Q | HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
IXFH67N10 | HiPerFET Power MOSFETs |
IXFH75N10 | HiPerFET Power MOSFETs |
IXFM67N10 | HiPerFET Power MOSFETs |
IXFM75N10 | HiPerFET Power MOSFETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXFH67N10 | 功能描述:MOSFET 67 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFH68N20 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET POWER MOSFETs |
IXFH69N30P | 功能描述:MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFH6N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFH6N100 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |