參數(shù)資料
型號： IXFH40N30S
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-264AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 300V五（巴西）直| 40A條（丁）|對264AA
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： IXFH40N30S
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.02
0.04
0.06
0.08
0.20
0.40
0.01
0.10
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
100
1000
10000
V
SD
- Volts
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
D
0
20
40
60
80
100
T
J
=125
O
C
T
J
=25
O
C
Gate Charge - nC
0
50
100
150
200
250
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
F = 1MHz
Crss
Coss
Ciss
V
GS
= 0V
Vds=300V
I
D
=16A
I
G
=10mA
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the
Intrinsic Diode
Figure 10. Transient Thermal Resistance
IXFH 30N50Q
IXFT 30N50Q
IXFH 32N50Q
IXFT 32N50Q
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH30N50Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.16Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFT52N30 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-268
IXFH52N30 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-247AD
IXFT58N20Q TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-268
IXFH58N20Q TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-247AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH40N50Q 功能描述:MOSFET 500V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH40N50Q2 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH40N50Q2_08 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class
IXFH42N20 功能描述:MOSFET 42 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH42N20S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-247VAR
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