參數(shù)資料
型號(hào)： IXFH35N30S
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 300V五（巴西）直| 35A條（丁）|對(duì)247VAR
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 110K
代理商： IXFH35N30S
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.02
0.04
0.06
0.08
0.20
0.40
0.01
0.10
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
100
1000
10000
V
SD
- Volts
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
D
0
20
40
60
80
100
T
J
=125
O
C
T
J
=25
O
C
Gate Charge - nC
0
50
100
150
200
250
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
F = 1MHz
Crss
Coss
Ciss
V
GS
= 0V
Vds=300V
I
D
=16A
I
G
=10mA
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the
Intrinsic Diode
Figure 10. Transient Thermal Resistance
IXFH 30N50Q
IXFT 30N50Q
IXFH 32N50Q
IXFT 32N50Q
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH40N30S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-264AA
IXFH30N50Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.16Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFT52N30 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-268
IXFH52N30 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-247AD
IXFT58N20Q TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-268
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH36N50P 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH36N55Q 功能描述:MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH36N55Q2 功能描述:MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH36N60P 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH400N075T2 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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