參數(shù)資料
型號： IXFH15N80Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻0.60Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 15 A, 800 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 111K
代理商： IXFH15N80Q
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
DS
- Volts
10
100
1000
I
D
0.1
1
10
100
Pulse Width - Seconds
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.00
0.01
0.10
1.00
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
C
10
100
1000
10000
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
0
10
20
30
40
50
Gate Charge - nC
0
20
40
60
80
100
120
V
G
0
2
4
6
8
10
12
Crss
Coss
Ciss
V
DS
= 400 V
I
D
= 7.5 A
I
G
= 10 mA
f = 1MHz
T
C
= 25
O
C
10
ms
100
ms
DC
1 ms
T
J
= 125
O
C
Single Pulse
D=0.01
D=0.02
D=0.05
D=0.1
D=0.2
D=0.5
T
J
= 25
O
C
0.1 ms
60
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 7. Gate Charge
Figure 9. Source Current vs. Source to Drain Voltage
Figure 11. Transient Thermal Resistance
Figure10. Forward Bias Safe Operating
Area
IXFH 15N80Q
IXFT 15N80Q
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PDF描述
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IXFH1606 制造商:IXYS Corporation 功能描述:
IXFH160N15T 功能描述:MOSFET 160 Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH160N15T2 功能描述:MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH16N120P 功能描述:MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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