參數(shù)資料
型號： IXFH14N60
廠商： IXYS Corporation
英文描述： HIPERFET Power MOSFTETs
中文描述： HIPERFET電力MOSFTETs
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 116K
代理商： IXFH14N60
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH14N100
IXFH15N100
IXFT14N100
IXFT15N100
IXFX15N100
IXFX14N100
V
GS
- Volts
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
4
8
12
16
20
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
I
D
= 7.5A
I
D
- Amperes
0
3
6
9
12
15
R
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
V
DS
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
D
0
4
8
12
16
V
DS
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
D
0
4
8
12
16
20
4V
V
GS
= 10V
V
GS
= 9V
8V
7V
6V
T
J
= 125
O
C
V
GS
= 10V
T
J
= 25
O
C
5V
5V
4V
T
J
= 25
o
C
I
D
= 15A
T
J
= 25
O
C
IXF_15N100
T
J
= 125
o
C
V
GS
= 9V
8V
7V
6V
T
J
= 125
O
C
IXF_14N100
Fig.1 Output Characteristics
Fig.2
Output characteristics at elevated
temperature
Fig.3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig.4
Temperature Dependence of Drain
to Source Resistance
Fig.5 Drain Current vs. Case Temperature
Fig.6
Input admittance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH15N100Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻0.725Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH15N80 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH15N60 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH15N65 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH16N90Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH14N60P 功能描述:MOSFET 600V 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH14N60P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH14N80 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH14N80P 功能描述:MOSFET DIODE Id14 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH150 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
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