參數(shù)資料
型號(hào)： IXFH12N100Q
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247AD
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 1KV交五（巴西）直| 12A條（丁）|采用TO - 247AD
文件頁數(shù)： 3/4頁
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代理商： IXFH12N100Q
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH12N90Q 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IXFH15N100 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-247AD
IXFT20N60Q TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-268
IXFH20N60Q TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247AD
IXFH20N60Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓600V,導(dǎo)通電阻0.35Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH12N120 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH12N120P 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH12N50 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH12N50F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH12N80P 功能描述:MOSFET DIODE Id12 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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