參數(shù)資料
型號： IXFH10N90
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導(dǎo)通電阻1.1Ω的N溝道增強(qiáng)型 HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 10 A, 900 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： IXFH10N90
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
6
12
S
C
iss
C
oss
C
rss
4200
315
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
90
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
18
12
51
18
50
50
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
(External)
100
50
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
123
27
49
155
45
80
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.42
K/W
K/W
0.25
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
10N90
12N90
13N90
10
12
13
A
A
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
10N90
12N90
13N90
40
48
52
A
A
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
1.5
V
t
rr
T
J
=
T
J
= 125 C
25 C
250
400
ns
ns
Q
RM
T
J
=
T
J
= 125 C
25 C
1
2
C
C
I
RM
T
J
=
T
J
= 125 C
25 C
10
15
A
A
I
= I
-di/dt = 100 A/ s,
V
R
= 100 V
TO-247 AD (IXFH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
TO-204 AA (IXFM) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
38.61 39.12
19.43 19.94
6.40
0.97
1.53
30.15
10.67 11.17
5.21
16.64 17.14
11.18 12.19
3.84
25.16 25.90
Inches
Min.
1.520 1.540
- 0.785
0.252 0.360
0.038 0.043
0.060 0.115
1.187
0.420 0.440
0.205 0.225
0.655 0.675
0.440 0.480
0.151 0.165
0.991 1.020
Max.
Max.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Q
R
9.14
1.09
2.92
BSC
BSC
5.71
4.19
IXFH 10N90 IXFH 12N90 IXFH 13N90
IXFM 10N90 IXFM 12N90
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH12N90 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導(dǎo)通電阻0.9Ω的N溝道增強(qiáng)型 HiPerFET功率MOSFET)
IXFT13N90 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH13N80Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻0.70Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFT13N80Q HiPerFET Power MOSFETs Q Class
IXFH14N100Q2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg Low Rg, High dv/dt, Low trr
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH110N10P 功能描述:MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH110N15T2 功能描述:MOSFET 110 Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH110N25T 功能描述:MOSFET 110 Amps 0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH11N100 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH11N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
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