參數(shù)資料
型號： IXBH15N140
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
中文描述： 15 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： IXBH15N140
2000 IXYS All rights reserved
4 - 4
IXBH 15N140
IXBH 15N160
I
C
- Amperes
0
5
10
15
20
t
f
0
10
20
30
40
50
60
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
t
d
0
100
200
300
400
Single Pulse
IXBH15
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
R
G
= 47
W
T
J
= 125
°
C
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
I
C
= 9A
T
J
= 125
°
C
Fig. 7 Typ. Fall Time
Fig. 8 Typ. Turn Off Delay Time
Fig. 9 Typ. Transient Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXBH15N160 High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH16N170A High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBT16N170A High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH20N140 High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH20N160 High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXBH15N160 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH16N170 功能描述:IGBT 晶體管 1700V 25A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH16N170A 功能描述:IGBT 晶體管 1700V 16A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH1791 制造商:IXYS Corporation 功能描述:
IXBH20N140 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*