參數(shù)資料
型號(hào)： IXBF9N160
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage BIMOSFET
中文描述： 7 A, 1600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS, I4PAC-3
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 91K
代理商： IXBF9N160
2000 IXYS All rights reserved
4 - 4
I
C
- Amperes
0
2
4
6
8
10
12
14
16
t
f
20
30
40
50
60
70
R
g
- Ohms
0
20
40
60
80
100 120 140 160
t
d
-
0
50
100
150
200
250
Pulse Width - Seconds
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
10
Single Pulse
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
R
G
= 100
W
T
J
= 125
°
C
IXBF09
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
I
C
= 5A
T
J
= 125
°
C
Fig. 7 Typ. Fall Time
Fig. 8 Typ. Turn Off Delay Time
Fig. 9 Typ. Transient Thermal Impedance
IXBF 9N140
IXBF 9N160
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IXBH15N160 High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
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IXBT16N170A High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
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參數(shù)描述
IXBF9N160G 功能描述:IGBT 晶體管 9 Amps 1600V 1600V 9A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH 16N170 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 制造商:Ixys Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IXBH10N170 功能描述:IGBT 晶體管 10 Amps 1700V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH12N300 功能描述:IGBT 3000V 30A 160W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:BIMOSFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXBH14N250 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 2500V RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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