參數(shù)資料
型號： ISL9N322AS3ST
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
中文描述： 35 A, 30 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 140K
代理商： ISL9N322AS3ST
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, January 2002
I
Typical Characteristic
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
0
10
20
30
40
25
50
75
100
125
150
175
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
0.01
0.1
1
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
100
30
500
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
T
C
= 25
o
C
I = I
25
175 - T
C
150
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
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PDF描述
ISL9N322AP3 N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
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參數(shù)描述
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