參數(shù)資料
型號(hào)： ISL9860PF2
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 8A, 600V Stealth Diode
中文描述： 8A條，600V的隱形二極管
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 142K
代理商： ISL9860PF2
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9R860PF2 Rev. A
I
Typical Performance Curves
Figure 1. Forward Current vs Forward Voltage
Figure 2. Reverse Current vs Reverse Voltage
Figure 3. t
a
and t
b
Curves vs Forward Current
Figure 4. t
a
and t
b
Curves vs dI
F
/dt
Figure 5. Maximum Reverse Recovery Current vs
Forward Current
Figure 6. Maximum Reverse Recovery Current vs
dI
F
/dt
V
F
, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
,
0
0.5
0.75
1
2.5
0.25
1.5
2
2.25
0
2
4
6
8
10
12
14
16
2.75
25
o
C
175
o
C
150
o
C
100
o
C
125
o
C
1.75
1.25
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
R
,
100
10
1
100
200
300
500
600
400
0.1
25
o
C
175
o
C
150
o
C
125
o
C
100
o
C
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
0
0
10
20
30
40
50
60
10
16
t
70
80
2
4
6
8
12
14
V
R
= 390V, T
J
= 125
°
C
t
b
AT dI
F
/dt = 200A/μs, 500A/μs, 800A/μs
t
a
AT dI
F
/dt = 200A/μs, 500A/μs, 800A/μs
dI
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
100
0
10
20
30
40
50
60
700
1000
t
200
300
400
500
600
800
900
70
80
90
V
R
= 390V, T
J
= 125
°
C
t
b
AT I
F
= 16A, 8A, 4A
t
a
AT I
F
= 16A, 8A, 4A
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
0
2
3
4
5
6
7
8
16
I
R
,
dI
F
/dt = 800A/μs
dI
F
/dt = 500A/μs
dI
F
/dt = 200A/μs
V
R
= 390V, T
J
= 125
°
C
9
10
11
2
4
6
8
10
12
14
dI
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
100
0
2
4
6
8
10
700
1000
I
R
,
V
R
= 390V, T
J
= 125
°
C
I
F
= 16A
I
F
= 8A
I
F
= 4A
12
14
200
300
400
500
600
800
900
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