參數(shù)資料
型號(hào)： ISL9860PF2
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： 8A, 600V Stealth Diode
中文描述： 8A條，600V的隱形二極管
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 142K
代理商： ISL9860PF2
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9R860PF2 Rev. A
I
Figure 7. Reverse Recovery Softness Factor vs dI
F
/dt
Figure 8. Reverse Recovery Charge vs dI
F
/dt
Figure 9. Junction Capacitance vs Reverse Voltage
Figure 10. DC Current Derating Curve
Figure 11. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Typical Performance Curves
(Continued)
dI
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
100
1
2
3
4
5
6
700
1000
V
R
= 390V, T
J
= 125
°
C
I
F
= 16A
I
F
= 8A
I
F
= 4A
S
200
300
400
500
600
800
900
dI
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
50
100
150
200
250
300
350
V
R
= 390V, T
J
= 125
°
C
I
F
= 16A
I
F
= 8A
I
F
= 4A
Q
R
,
100
700
1000
200
300
400
500
600
800
900
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
C
J
,
0
200
400
600
800
1000
1200
0.1
100
10
1
4
0
100
50
150
6
8
10
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
I
F
,
125
75
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-5
10
-2
10
-1
Z
θ
J
,
T
0.01
10
-4
10
-3
SINGLE PULSE
10
0
0.1
10
1
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
1.0
0.001
2.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ISL9860PF2 8A, 600V Stealth Diode
ISL9N2357D3ST 30V, 0.007 Ohm, 35A, N-Channel UltraFET Trench Power MOSFET
ISL9N302AP3 N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
ISL9N302AS3ST N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
ISL9N303AP3 RECTIFIER SCHOTTKY DUAL COMMON-CATHODE 30A 40V 250A-Ifsm 0.55Vf 1A-IR D2PAK 800/REEL-13
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參數(shù)描述
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ISL99201IRTAZ-TK 功能描述:IC AMP AUDIO 1.5W MONO D 8TDFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 線性 - 音頻放大器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:80 系列:- 類型:AB 類 輸出類型:1-通道（單聲道） 在某負(fù)載時(shí)最大輸出功率 x 通道數(shù)量:1.25W x 1 @ 8 歐姆 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 特點(diǎn):消除爆音，差分輸入，關(guān)閉，熱保護(hù) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP-PowerPad 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤 包裝:管件 配用:296-31419-ND - EVAL MODULE FOR TPA6205A1 其它名稱:296-34563-5TPA6205A1DGN-ND
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