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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS45S32200C1 |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 為512k位× 32位× 4銀行（64兆位）同步動(dòng)態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 26/59頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 622K |
| 代理商： | IS45S32200C1 |
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IS45S32200C1
ISSI
26
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
05/18/06
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
WRITE
NOP
NOP
NOP
D
IN
n
D
IN
n+1
BANK,
COL n
DON'T CARE
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
WRITE
NOP
WRITE
D
IN
n
D
IN
n+1
D
IN
b
BANK,
COL n
BANK,
COL b
DON'T CARE
WRITE Burst
WRITE to WRITE
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
WRITE
WRITE
WRITE
WRITE
D
IN
n
D
IN
b
D
IN
m
D
IN
x
BANK,
COL n
BANK,
COL b
BANK,
COL m
BANK,
COL x
Random WRITE Cycles
Burst length = 2 DQM ix low.
DQMx is low. Each Write Command
may be to any bank.
DQMx is low. Each Write Command
may be to any bank.
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PDF描述 |
|---|---|
| IS45S32200C1-7BLA1 | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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