- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377552 > IS43R16800A1-5TL (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IS43R16800A1-5TL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.65 ns, PDSO66 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 59/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 2174K |
| 代理商： | IS43R16800A1-5TL |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁當(dāng)前第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00A
04/17/06
59
ISSI
IS43R16800A1
Data Input (Write)
(Timing Burst Length = 4)
Data Output (Read)
(Timing Burst Length = 4)
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DSL
DI n = Data In for column n.
3 subsequent elements of data in are applied in programmed order following DI n.
DI n
DQS
DQ
DM
Don’t Care
t
DSH
t
DQSQ
(max) occurs when DQS is the earliest among DQS and DQ signals to transition.
DQS
DQ
t
DQSQ
t
DQSQ
t
QH1
Data Output hold time from Data Strobe is shown as t
QH
. t
is a function of the clock high or low time (t
HP
)
for that given clock cycle. Note correlation of t
HP
to t
QH
in the diagram above (t
HP1
to t
QH1
, etc.).
t
QH2
t
DQSQ
t
QH3
t
QH4
t
DQSQ
CK
CK
t
HP
t
HP
t
HP
t
HP1
t
HP2
t
HP3
t
HP4
t
is the half cycle pulse width for each half cycle clock. t
HP
is referenced to the clock duty cycle only
and not to the data strobe (DQS) duty cycle.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R32400A | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-5B | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-5BL | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-6B | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-6BI | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R16800A-5T | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800A-5TL | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800A-5TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800A-5T-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800A-6 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。