參數(shù)資料
型號(hào): IS43R16800A1-5TL
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
中文描述: 8M X 16 DDR DRAM, 0.65 ns, PDSO66
封裝: LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-66
文件頁數(shù): 22/72頁
文件大小: 2174K
代理商: IS43R16800A1-5TL
22
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00A
04/17/06
ISSI
IS43R16800A1
Random Read Accesses: CAS Latencies (Burst Length = 2, 4 or 8)
DOa-n
CAS Latency = 2
Read
Read
Read
NOP
NOP
Read
DOa-b
DOa-n'
DOa-x
DOa-x'
DOa-b’
DOa-g
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DO a-n, etc. = data out from bank a, column n etc.
n' etc. = odd or even complement of n, etc. (i.e., column address LSB inverted).
Reads are to active rows in any banks.
Shown with nominal t
AC
, t
DQSCK
, and t
DQSQ
.
Don’t Care
BAa, COL n
BAa, COL x
BAa, COL b
BAa, COL g
CL=2
DOa-n
CAS Latency = 2.5
Read
Read
Read
NOP
NOP
Read
DOa-b
DOa-n'
DOa-x
DOa-x'
DOa-b’
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
BAa, COL n
BAa, COL x
BAa, COL b
BAa, COL g
CL=2.5
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PDF描述
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參數(shù)描述
IS43R16800A-5T 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-5TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-5TL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-5T-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-6 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM