參數資料
型號: IS43R16800A-6T
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
中文描述: 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝: PLASTIC, TSOP2-66
文件頁數: 34/47頁
文件大?。?/td> 473K
代理商: IS43R16800A-6T
34
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
00
A
04/04/06
ISSI
IS43R16800A-6
in0
in1
in2
in3
out0 out1 out2 out3
CK
/CK
DM
DQ
Command
t1
t0
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
BL = 4
CL= 2
DQS
CL=2
Data masked
2 cycle
READ
NOP
NOP
WRIT
High-Z
High-Z
[WRITE to READ delay = 2 clock cycle]
in0
in1
in2
in3
out0 out1
out2 out3
CK
/CK
DM
DQ
Command
t1
t0
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
BL = 4
CL= 2
DQS
CL=2
Data masked
3 cycle
READ
WRIT
NOP
NOP
Note: tWTR is referenced from the first positive CK edge after the last desired data in pair tWTR.
[WRITE to READ delay = 3 clock cycle]
tWTR*
相關PDF資料
PDF描述
IS43R16800A-6TL 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A1 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A1-5TL 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-5B 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
相關代理商/技術參數
參數描述
IS43R16800A-6TL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800C-5TL 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800C-5TL-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800CC-5TL 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800CC-5TLI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube