參數(shù)資料
型號(hào)： IS43R16800A-6T
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
中文描述： 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝： PLASTIC, TSOP2-66
文件頁(yè)數(shù)： 29/47頁(yè)
文件大?。?/td> 473K
代理商： IS43R16800A-6T
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
00
A
04/04/06
29
ISSI
IS43R16800A-6
A Write command to the consecutive Write command Interval
Destination row of the consecutive write
command
Bank
address
Row address State
Operation
1. Same
Same
ACTIVE
The consecutive write can be performed after an interval of no less than 1 cycle to
interrupt the preceding write operation.
Precharge the bank to interrupt the preceding write operation. tRP after the
precharge command, issue the ACT command. tRCD after the ACT command, the
consecutive write command can be issued. See ‘A write command to the
consecutive precharge interval’ section.
The consecutive write can be performed after an interval of no less than 1 cycle to
interrupt the preceding write operation.
Precharge the bank without interrupting the preceding write operation. tRP after
the precharge command, issue the ACT command. tRCD after the ACT command,
the consecutive write command can be issued.
2. Same
Different
—
3. Different
Any
ACTIVE
IDLE
inA0 inA1 inB0 inB1 inB2 inB3
CK
/CK
Address
BA
DQ
Command
t0
tn+1
tn
tn+2
tn+3
tn+4
tn+5
tn+6
Bank0
Active
BL = 4
Bank0
NOP
DQS
ACT
NOP
WRIT
Row
Column A
WRIT
Column B
Column = A
Write
Column = B
Write
WRITE to WRITE Command Interval (same ROW address in the same bank)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS43R16800A-6TL 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A1 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A1-5TL 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-5B 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS43R16800A-6TL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800C-5TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800C-5TL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800CC-5TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800CC-5TLI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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