參數(shù)資料
型號(hào)： IS43R16800A-6T
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
中文描述： 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝： PLASTIC, TSOP2-66
文件頁(yè)數(shù)： 17/47頁(yè)
文件大?。?/td> 473K
代理商： IS43R16800A-6T
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00A
04/04/06
17
ISSI
IS43R16800A-6
CKE
Command
Ignore command
No operation
Burst stop in read command
Column address and read command
Read with auto-precharge
Column address and write command
Write with auto-precharge
Row address strobe and bank active
Precharge select bank
Precharge all bank
Refresh
Symbol n
–
1
DESL
NOP
BST
READ
READA
WRIT
WRITA
ACT
PRE
PALL
REF
SELF
MRS
EMRS
n
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
RAS
x
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
CAS
x
H
H
L
L
L
L
H
H
H
L
L
L
L
WE
x
H
L
H
H
L
L
H
L
L
H
H
L
L
BA1
x
x
x
V
V
V
V
V
V
x
x
x
L
L
BA0 AP
x
x
x
V
V
V
V
V
V
x
x
x
L
H
Address
x
x
x
V
V
V
V
V
x
x
x
x
V
V
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
x
x
x
L
H
L
H
V
L
H
x
x
L
L
Mode register set
COMMAND TRUTH TABLE
DDR SDRAM recognize the following commands specified by the
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
and address pins. All other
combinations than those in the table below are illegal.
Remark:
H: VIH. L: VIL. ×: VIH or VIL V: Valid address input
Note:
The CKE level must be kept for 1 CK cycle at least.
CKE
Current state
Idle
Idle
Idle
Command
Auto-refresh command (REF)
Self-refresh entry (SELF)
Power down entry (PDEN)
n
–
1
H
H
H
H
L
L
L
L
n
H
L
L
L
H
H
H
H
CS
L
L
L
H
L
H
L
H
RAS
L
L
H
x
H
x
H
x
CAS
L
L
H
x
H
x
H
x
WE
H
H
H
x
H
x
H
x
Address
x
x
x
x
x
x
x
x
Notes
2
2
Self refresh
Self refresh exit (SELFX)
Power down
Power down exit (PDEX)
CKE TRUTH TABLE
Remark:
H: VIH. L: VIL. ×: VIH or VIL.
Notes:
1. All the banks must be in IDLE before executing this command.
2. The CKE level must be kept for 1 CK cycle at least.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS43R16800A-6TL 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A1 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A1-5TL 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-5B 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS43R16800A-6TL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800C-5TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800C-5TL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 8Mx16 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800CC-5TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800CC-5TLI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (8Mx16) 200MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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