參數(shù)資料
型號： IS42S83200A-75T
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256 Mb Synchronous DRAM
中文描述： 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 9/49頁
文件大?。?/td> 603K
代理商： IS42S83200A-75T
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. D
11/01/05
9
ISSI
IS42S83200A
(4-bank x 8,388,608 - word x 8-bit)
IS42S16160A
(4-bank x 4,194,304 - word x 16-bit)
FUNCTION TRUTH TABLE (continued)
Current State
/CS
/RAS /CAS
/WE
Address
Command
Action
PRE -
CHARGING
H
X
X
X
X
DESEL
NOP (Idle after tRP)
L
H
H
H
X
NOP
NOP (Idle after tRP)
L
H
H
L
X
TBST
ILLEGAL*2
L
H
L
X
BA, CA, A10
READ / WRITE ILLEGAL*2
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A10
PRE / PREA
NOP*4 (Idle after tRP)
L
L
L
H
X
REFA
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code,
Mode-Add
MRS
ILLEGAL
ROW
ACTIVATING
H
X
X
X
X
DESEL
NOP (Row Active after tRCD)
L
H
H
H
X
NOP
NOP (Row Active after tRCD)
L
H
H
L
X
TBST
ILLEGAL*2
L
H
L
X
BA, CA, A10
READ / WRITE ILLEGAL*2
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A10
PRE / PREA
ILLEGAL*2
L
L
L
H
X
REFA
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code,
Mode-Add
MRS
ILLEGAL
WRITE RE-
COVERING
H
X
X
X
X
DESEL
NOP
L
H
H
H
X
NOP
NOP
L
H
H
L
X
TBST
ILLEGAL*2
L
H
L
X
BA, CA, A10
READ / WRITE ILLEGAL*2
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A10
PRE / PREA
ILLEGAL*2
L
L
L
H
X
REFA
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code,
Mode-Add
MRS
ILLEGAL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S83200A-75TL 256 Mb Synchronous DRAM
IS42VS16100C1-10TLI 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16100C1 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16100C1-10T 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16100C1-10TI 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S83200A-75TL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256 Mb Synchronous DRAM
IS42S83200B 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S83200B-6T 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S83200B-6TL 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S83200B-6TLI 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M (32Mx8) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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