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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S83200A-75T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256 Mb Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 19/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 603K |
| 代理商： | IS42S83200A-75T |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. D
11/01/05
19
ISSI
IS42S83200A
(4-bank x 8,388,608 - word x 8-bit)
IS42S16160A
(4-bank x 4,194,304 - word x 16-bit)
[ Read Interrupted by Precharge ]
Burst read operation can be interrupted by precharge
of the same bank . READ to PRE interval is minimum 1
CLK. A PRE command to output disable latency is
equivalent to the /CAS Latency. As a result, READ to
PRE interval determines valid data length to be output.
The figure below shows examples of BL=4.
Read interrupted by Precharge (BL=4)
CLK
Command
PRE
READ
Q0
Q1
Q2
PRE
READ
Q0
Q1
PRE
READ
Q0
PRE
READ
Q0
Q1
Q2
PRE
READ
Q0
Q1
PRE
READ
Q0
C
L=2
C
L=3
DQ
Command
DQ
Command
DQ
Command
DQ
Command
DQ
Command
DQ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S83200A-75TL | 256 Mb Synchronous DRAM |
| IS42VS16100C1-10TLI | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16100C1 | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16100C1-10T | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16100C1-10TI | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S83200A-75TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256 Mb Synchronous DRAM |
| IS42S83200B | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S83200B-6T | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S83200B-6TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S83200B-6TLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (32Mx8) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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