參數(shù)資料
型號： IS42S83200A-75T
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256 Mb Synchronous DRAM
中文描述： 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 21/49頁
文件大?。?/td> 603K
代理商： IS42S83200A-75T
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. D
11/01/05
21
ISSI
IS42S83200A
(4-bank x 8,388,608 - word x 8-bit)
IS42S16160A
(4-bank x 4,194,304 - word x 16-bit)
[ Write Interrupted by Write ]
Burst write operation can be interrupted by new write of any bank. Random column access is allowed. WRITE to
WRITE interval is minimum 1 CLK.
Write interrupted by Write (BL=4)
CLK
Command
A
0-9,11-12
A10
BA0-1
DQ
Write
Yb
0
00
Dc0
Dc1
Dc2
Dc3
Write
Ya
0
00
Da0
Da1
Da2
Db0
Write
Yc
0
10
[ Write Interrupted by Read ]
Burst write operation can be interrupted by read of the same or the other bank. Random column access is
allowed. WRITE to READ interval is minimum 1 CLK. The input data on DQ at the interrupting READ cycle is
"don't care".
Write interrupted by Read (CL=2, BL=4)
CLK
Command
A0-9,11-12
A10
BA0-1
DQ
ACT
Xa
Xa
00
READ
Yb
0
00
Da0
Da1
Qb0
Write
Ya
0
00
Qb1
Qb2
Qb3
don't care
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S83200A-75TL 256 Mb Synchronous DRAM
IS42VS16100C1-10TLI 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16100C1 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16100C1-10T 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16100C1-10TI 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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參數(shù)描述
IS42S83200A-75TL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256 Mb Synchronous DRAM
IS42S83200B 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S83200B-6T 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S83200B-6TL 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S83200B-6TLI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (32Mx8) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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